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  • 석사과정 서지우, 한재호 – 2024 한국물리학회 가을 학술논문발표회 우수 발표상 수상

    • 등록일
      2025-02-05
    • 조회수
      15

서지우, 한재호 석사과정 대학원생, 2024 한국물리학회 가을 학술논문발표회 우수 발표상 수상

 

숭실대 물리학과 석사과정 대학원생 서지우 학생(지도교수: 정진석) 그리고 한재호 학생(지도교수: 이윤상)이 여수에서 개최된 ‘2024 한국물리학회 가을 학술논문발표회 (2024 KPS Fall Meeting)’에서 구두 발표 부분 응용물리분과 그리고 한국물리학회 Outstanding Presentation Award (우수 발표상)을 수상했다.

 

서지우 석사과정생은 ‘Enhanced optical properties in Sm3+/Sr2+ co-doped K0.52Na0.48NbO3’라는 주제로 연구를 수행해 결과를 발표했다.

 

(K, Na)NbO3는 페로브스카이트 물질로서 높은 Curie 온도와 압전성을 가진 물질로 알려져 있다. 본 연구는 이러한 (K, Na)NbO3를 기반으로 Sm3+와 Sr2+를 co-doping하여 가시광 발광 특성과 상온에서 사방정계(orthorhombic) 상과 정방정계 (tetragonal) 상의 혼합 상을 구현하였다. 이에 따라 이 물질은 도핑하지 않은 (K, Na)NbO3의 압전계수 (80 pC/N) 보다 높은 압전계수(107 pC/N)를 보였다. 또한 본 연구는 co-doping의 양을 조절하여 물질의 광 변색성을 향상시켰다. 해당 물질은 380 nm 자외선 노출 후에 반사율이 최대 30.01% 감소하는 결과를 보였다. 이 물질은 압전성과 광 발광, 그리고 광 변색 기능을 동시에 요하는 응용 분야에 잠재력이 높은 물질로 평가되었다.

 

한재호 석사과정생은 ‘Structural modification of Pr3+-/Zr4+- doped HfO2:Eu3+ and the resulting luminescence and dielectric properties’라는 주제로 연구를 수행하고 그 결과를 발표했다.

 

HfO2 (산화 하프늄, hafnium oxide) 기반의 유전 물질은 유전 상수가 높은 고유전 물질(high-k materials)로 TFT, MOSFET, RRAM 등 다양한 전자 소자에 활용되는 물질이다. 이번 연구에서 HfO2의 결정 구조 및 입자 크기를 조절하는 방식으로 기존보다 유전 상수가 높은 물질을 합성하였다. 그리고 가시광선 영역의 발광하는 희토류 이온을 첨가해 발광 특성을 부여하여 고유전 다기능성 발광 물질(high-k multifunctional luminescent dielectrics)을 개발하였다. 이 물질은 반도체, 센서 그리고 메모리 등 다양한 산업에서 활용될 잠재성이 높은 물질로 평가되었다.

 

수상 공지: 2024년 가을학술논문발표회 공지

 

[서지우 석사과정생 사진 및 우수 발표상]

 

[한재호 석사과정생 사진 및 우수 발표상]

 

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