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물리학과

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학술세미나

제목 - 설명
  • 5월 6일 김 동 욱 교수 (이화여대 나노과학부) 차세대 비휘발성 메모리 구현을 위한

    • 등록일
      2020-10-29
    • 조회수
      97

Abstract: 반도체 산업에 있어서 그 집적도는 Moore의 법칙에 따라 해마다 급격히 증가하고 있다. 이렇게 고집적화가 가능했던 것은 일차적으로 노광(lithography) 공정의 발달에 힘입은 바 크고 또한 이를 뒷받침해주는 다양한 소재의 개발과 그 소자 구조의 개선이 있었기에 가능한 것이었다. 특히, 최근에는 mobile, wireless 제품에 대한 수요가 급증함에 따라 전원이 없어도 정보를 저장할 수 있는 ‘비휘발성 메모리’ 소자 개발에 대한 사회적 요구가 가속화되고 있는 실정이다.
본 발표에서는 금속/절연체/금속 (MIM, metal-insulator-metal) 구조가 보이는 두 가지 안정적 저항 상태(bi-stable resistance state)를 정보저장 단위로 이용하고자 하는 저항스위칭 메모리(ReRAM: resistive random access memory)에 대한 개발 동향과 관련 연구 주제들을 개관하여 보고자 한다. ReRAM 연구는 1960년대부터 시작되었으나 오랫동안 큰 진전을 보지 못하다가, 박막 증착과 소자 제작 기술의 진보에 힘입어 2000년대 들어 괄목할만한 기술적 발전이 이루어지고 있다.
본 연구진이 특히 관심을 가지고 있는 주제는 전자-이온 동역학(electron-ion dynamics)이 결합된 기작(mechanism) 연구이며, 이는 스위칭 속도와 정보저장 시간을 결정 짓는 메모리 소자의 성능과 직결된 이슈에 해당한다. 금속/절연체 접합(junction)에 대한 다양한 거시적(macroscopic) 및 미시적(microscopic) 실험 방법을 동원하여 원리 규명을 위한 연구 노력들을 소개하고자 한다. 또한, 이러한 실험 방법론들은 다양한 정보 및 에너지 소자의 바탕이 되는 접합 소자 특성 분석에 근간을 두고 있어, 관련 분야에의 폭 넓은 확대 적용도 기대되고 있다.

* 일시 : 5월 6일 목요일 오후 4시 30분

* 장소 : 베어드홀 320호

* 연사 : 김 동 욱 교수 (이화여대 나노과학부)

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